Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Год издания:
2007
Автор:
Количество страниц:
0
Издательство:
Код:
122019
ISBN/Артикул:
5-94836-039-3
Вес:
0.38
Описание
Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении Функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Развернуть полностью
Отзывы
0 отзывов У данного товара нет отзывов. Ваш отзыв может стать первым! Чтобы задать вопрос, перейдите в раздел «Вопросы - ответы». ВойтиСпасибо за ваш отзыв!
Он будет опубликован после проверки модератором!